Чип Samsung K4A8G165WC-BCWE – обзор, характеристики и актуальные цены от магазинов, обновление ежедневно | GoodsBrain.com

Чип Samsung K4A8G165WC-BCWE

None

Артикул K4A8G165WC-BCWE  

Модель K4A8G165WC-BCWE  



Интегрирована на матплате, DDR4, 1x, 3200 МГц, 25600 Мб/с, 22 CL, 1.2 В

Нет в продаже

Характеристики

Основные характеристики

Тип памяти DDR
DDR4
Форм-фактор
Интегрирована на матплате
Объём памяти комплекта
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Частота памяти
3200 МГц
CAS Latency (CL)
22
Подсветка элементов платы
Нет
Радиатор
Нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
Напряжение питания
1.2 В
Низкопрофильная (Low Profile)
Да